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SI4421DY-T1-E3
来自 AiPCBA

SI4421DY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
PDF文件:SI4421DY-T1-E3 数据手册 (6 页)
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SI4421DY-T1-E3 数据手册 (6 页)
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SI4421DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
漏源极电阻0.0135 Ω
极性P-Channel
功耗1.5 W
漏源极电压(Vds)-20.0 V
连续漏极电流(Ids)-14.0 A
上升时间90 ns
下降时间170 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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SI4421DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI4421DY-T1-E3 数据手册

SI4421DY-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
6 页 / 0.07 MByte
SI4421DY-T1-E3 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
8 页 / 0.15 MByte

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