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SI4421DY-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI4421DY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:VISHAY  SI4421DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, P沟道, -10 A, -20 V, 0.007 ohm, -4.5 V, -800 mV 新
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SI4421DY-T1-GE3 数据手册 (9 页)
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SI4421DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0135 Ω
极性P-Channel
功耗1.5 W
漏源极电压(Vds)-20.0 V
连续漏极电流(Ids)-14.0 A
上升时间90 ns
下降时间170 ns
工作温度(Max)150 ℃
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SI4421DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI4421DY-T1-GE3 数据手册

SI4421DY-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.15 MByte
SI4421DY-T1-GE3 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
8 页 / 0.15 MByte

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