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SI4431BDY-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI4431BDY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 1.5W
PDF文件:SI4431BDY-T1-GE3 数据手册 (6 页)
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SI4431BDY-T1-GE3 数据手册 (6 页)
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SI4431BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
漏源极电阻23 mΩ
极性P-CH
功耗1.5 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)5.7A
上升时间10 ns
下降时间47 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
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SI4431BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃
最小包装数量2500
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SI4431BDY-T1-GE3 数据手册

SI4431BDY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
6 页 / 0.09 MByte
SI4431BDY-T1-GE3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
9 页 / 0.19 MByte
SI4431BDY-T1-GE3 开发手册
VISHAY（威世）
4 页 / 0.05 MByte

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