类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.026 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 2.5 W |
阈值电压 | 2.5 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | -9.00 A |
输入电容值(Ciss) | 1006pF @15V(Vds) |
额定功率(Max) | 4.2 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 4.2 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm |
高度 | 1.55 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 2500 |
P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI4431CDY-T1-GE3. 晶体管, MOSFET, P沟道, -9A, -30V
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