| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 40 mΩ |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.8A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2500 mW |
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
VISHAY（威世）
P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Silicon Labs（芯科）
SILICON LABS SI4431-B1-FM 芯片, 射频收发器, 240-930MHZ, QFN-20
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4431BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.8 A, -30 V, 0.023 ohm, -10 V, -1 V
VISHAY（威世）
场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 1.5W
Silicon Labs（芯科）
射频收发器 +13 dBm sub-GHz transmitter
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