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SI4455DY-T1-E3
来自 AiPCBA

SI4455DY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:P沟道 150V 2.8A
PDF文件:SI4455DY-T1-E3 数据手册 (9 页)
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SI4455DY-T1-E3 数据手册 (9 页)
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SI4455DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
漏源极电阻295 mΩ
极性P-CH
功耗3.1 W
漏源极电压(Vds)150 V
连续漏极电流(Ids)2A
输入电容值(Ciss)1190pF @50V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3100 mW
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SI4455DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
最小包装数量2500
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SI4455DY-T1-E3 数据手册

SI4455DY-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
9 页 / 0.18 MByte
SI4455DY-T1-E3 其他数据使用手册
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SI4455DYT1 数据手册

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VISHAY（威世）
P沟道 150V 2.8A
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