Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY（威世） > SI4455DY-T1-GE3 Datasheet 文档
SI4455DY-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI4455DY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:P沟道 150V 2A
PDF文件:SI4455DY-T1-GE3 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SI4455DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
漏源极电阻295 mΩ
极性P-CH
功耗3.1 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)150 V
连续漏极电流(Ids)2A
输入电容值(Ciss)1190pF @50V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3100 mW
查看数据手册 >

SI4455DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-50℃ ~ 150℃
最小包装数量2500
查看数据手册 >

SI4455DY-T1-GE3 数据手册

SI4455DY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
9 页 / 0.18 MByte
SI4455DY-T1-GE3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
9 页 / 0.17 MByte

SI4455DYT1 数据手册

SI4455DY-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
P沟道 150V 2.8A
SI4455DY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
P沟道 150V 2A
SI4455DY-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
SI4455DY-T1-E3 数据手册
Vishay Siliconix
SI4455DY-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
SI4455DY-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
SI4455DY-T1-GE3 数据手册
Vishay Intertechnology
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: SI4455 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet