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SI4463BDY-T1-E3
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SI4463BDY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:VISHAY  SI4463BDY-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, 9.8 A, -20 V, 0.0085 ohm, 12 V, -1.4 V
PDF文件:SI4463BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)
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SI4463BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0085 Ω
极性P-Channel
功耗1.5 W
漏源极电压(Vds)-20.0 V
连续漏极电流(Ids)13.7 A
上升时间60 ns
下降时间75 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1500 mW
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SI4463BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5 mm
高度1.55 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI4463BDY-T1-E3 数据手册

SI4463BDY-T1-E3 数据手册
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