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SI4463BDY-T1-E3
来自 AiPCBA

SI4463BDY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PDF文件:SI4463BDY-T1-E3 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SI4463BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0085 Ω
极性P-Channel
功耗1.5 W
阈值电压1.4 V
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)13.7 A
上升时间60 ns
额定功率(Max)1.5 W
下降时间75 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3000 mW
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SI4463BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量2500
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SI4463BDY-T1-E3 数据手册

SI4463BDY-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
8 页 / 0.16 MByte
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