| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.02 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.5 W |
| 漏源极电压(Vds) | -20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13.7 A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.22 MByte
Vishay Semiconductor（威世）
8 页 / 0.15 MByte
VISHAY（威世）
P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4463BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 9.8 A, -20 V, 0.0085 ohm, 12 V, -1.4 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4463BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 13.7A, SOIC
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
