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SI4463BDY-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI4463BDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:SOIC-8
PDF文件:SI4463BDY-T1-GE3 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SI4463BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOIC-8
极性P-Channel
功耗1.5W (Ta)
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)13.7 A
耗散功率(Max)1.5W (Ta)
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SI4463BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SI4463BDY-T1-GE3 数据手册

SI4463BDY-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
8 页 / 0.15 MByte
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