| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 11 mΩ |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.8A |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 75 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
| 最小包装数量 | 2500 |
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4463BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 9.8 A, -20 V, 0.0085 ohm, 12 V, -1.4 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4463BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 13.7A, SOIC
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