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SI4463CDY-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI4463CDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:VISHAY  SI4463CDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
PDF文件:SI4463CDY-T1-GE3 数据手册 (10 页)
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SI4463CDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.006 Ω
极性P-Channel
功耗5 W
上升时间35 ns
输入电容值(Ciss)4250pF @10V(Vds)
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2700 mW
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SI4463CDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度4.9 mm
宽度3.9 mm
高度1.55 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI4463CDY-T1-GE3 数据手册

SI4463CDY-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.16 MByte
SI4463CDY-T1-GE3 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.22 MByte
SI4463CDY-T1-GE3 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
2 页 / 0.13 MByte

SI4463CDYT1 数据手册

SI4463CDY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
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VISHAY  SI4463CDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
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