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SI4463CDY-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI4463CDY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
PDF文件:SI4463CDY-T1-GE3 数据手册 (9 页)封装尺寸在7 页
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SI4463CDY-T1-GE3 数据手册 (9 页)
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SI4463CDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.006 Ω
极性P-Channel
功耗2.7 W
阈值电压600 mV
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)18.6A
上升时间35 ns
输入电容值(Ciss)4250pF @10V(Vds)
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2700 mW
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SI4463CDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃
最小包装数量2500
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SI4463CDY-T1-GE3 数据手册

SI4463CDY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
9 页 / 0.21 MByte
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SI4463CDYT1 数据手册

SI4463CDY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
SI4463CDY-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  SI4463CDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
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