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SI4464DY-T1-E3
来自 AiPCBA

SI4464DY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:SI4464DY-T1-E3 编带
PDF文件:SI4464DY-T1-E3 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SI4464DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
漏源极电阻240 mΩ
极性N-Channel
功耗1.5 W
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)1.70 A, 2.20 A
上升时间12 ns
额定功率(Max)1.5 W
下降时间15 ns
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SI4464DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量2500
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SI4464DY-T1-E3 数据手册

SI4464DY-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
8 页 / 0.16 MByte
SI4464DY-T1-E3 其他数据使用手册
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