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SI4464DY-T1-GE3
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SI4464DY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
PDF文件:SI4464DY-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI4464DY-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI4464DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
漏源极电阻240 mΩ
极性N-CH
功耗2.5 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)1.7A
上升时间12 ns
额定功率(Max)1.5 W
下降时间15 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.5 W
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SI4464DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5 mm
宽度4 mm
高度1.55 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
最小包装数量2500
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SI4464DY-T1-GE3 数据手册

SI4464DY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
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