类型 | 描述 |
---|
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.016 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 6.5 W |
漏源极电压(Vds) | -8.00 V |
连续漏极电流(Ids) | 13.7 A |
上升时间 | 170 ns |
下降时间 | 112 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
类型 | 描述 |
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包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 4.9 mm |
宽度 | 3.9 mm |
高度 | 1.75 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Vishay Semiconductor(威世)
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VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, P沟道, 13.7 A, -8 V, 0.0075 ohm, -4.5 V, -450 mV
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI4465ADY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 13.7 A, -8 V, 0.0075 ohm, -4.5 V, -0.45 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI4465ADY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 13.7A, SOIC
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