| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 9.00 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.5W (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13.5 A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 70 ns |
| 耗散功率(Max) | 1.5W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 20 V 9.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
Vishay Siliconix
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Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4466DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V 13.5A 8-SOIC
VISHAY（威世）
N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
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