类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SO |
漏源极电阻 | 80.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 1.56 W |
漏源击穿电压 | 200 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.85 A |
VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.85 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V
VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 4A, SOIC
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI4490DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.85 A, 200 V, 65 mohm, 10 V, 2 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI4490DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 4A, SOIC
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件