类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SO |
漏源极电阻 | 53.0 mΩ |
极性 | N-Channel, P-Channel |
功耗 | 2.00 W |
漏源击穿电压 | 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.90 A |
Vishay Siliconix
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VISHAY(威世)
N和P沟道30 V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
双 N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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Vishay Siliconix
VISHAY SILICONIX SI4532CDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, NP-通道, 30V, 6/-4.3A, SOIC-8
Vishay Semiconductor(威世)
N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI4532ADY-T1-GE3 场效应管阵列, MOSFET, N/P沟道
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