类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.053 Ω |
功耗 | 2 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
输入电容值(Ciss) | 235pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 900 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 5 mm |
宽度 | 4 mm |
高度 | 1.5 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
增强模式双 MOSFET, Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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VISHAY(威世)
N和P沟道30 V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
双 N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4532DY 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.9 A, 30 V, 53 mohm, 10 V, 3 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI4532CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4532DY, 3.5 A,3.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Vishay Siliconix
VISHAY SILICONIX SI4532CDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, NP-通道, 30V, 6/-4.3A, SOIC-8
Vishay Semiconductor(威世)
N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI4532ADY-T1-GE3 场效应管阵列, MOSFET, N/P沟道
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