| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 3.90 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 53 mΩ |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | ±30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.90 A |
| 输入电容值(Ciss) | 235pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 900 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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VISHAY（威世）
N和P沟道30 V（D -S）的MOSFET N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
VISHAY（威世）
双 N/P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4532DY 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.9 A, 30 V, 53 mohm, 10 V, 3 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4532CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4532DY, 3.5 A，3.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Vishay Siliconix
VISHAY SILICONIX SI4532CDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, NP-通道, 30V, 6/-4.3A, SOIC-8
Vishay Semiconductor（威世）
N/P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4532ADY-T1-GE3 场效应管阵列, MOSFET, N/P沟道
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