| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0295 Ω |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 1.4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.6A |
| 输入电容值(Ciss) | 640pF @20V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3W, 3.1W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.55 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 2500 |
双 N/P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
N和P通道40 - V（D -S）的MOSFET N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4599DY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.8 A, 40 V, 29.5 mohm, 10 V, 1.4 V
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