| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOIC |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.5A |
VISHAY（威世）
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NXP（恩智浦）
N沟道增强模式音响场效晶体管 N-channel enhancement mode field-effect transistor
VISHAY（威世）
N沟道减少的Qg ，快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4800BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSS
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