| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 漏源极电阻 | 0.03 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.3 W |
| 阈值电压 | 25 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.00 A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Vishay Semiconductor（威世）
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VISHAY（威世）
N沟道减少的Qg ，快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4800BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSS
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