| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SO |
| 漏源极电阻 | 22.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.30 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
Vishay Siliconix
9 页 / 0.12 MByte
VISHAY（威世）
双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
VISHAY（威世）
双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4816BDY-T1-GE3. 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, SOIC
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4816BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, 双路 N 通道, 30V, 0.0093Ω
Vishay Semiconductor（威世）
双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
