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SI4816DY-T1-E3
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SI4816DY-T1-E3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:SOIC-8
PDF文件:SI4816DY-T1-E3 数据手册 (9 页)
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SI4816DY-T1-E3 数据手册 (9 页)
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SI4816DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOIC-8
漏源极电阻22.0 mΩ
极性Dual N-Channel
功耗1.25 W
漏源极电压(Vds)30 V
栅源击穿电压20.0 V
连续漏极电流(Ids)5.30 A
额定功率(Max)1W, 1.25W
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SI4816DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SI4816DY-T1-E3 数据手册

SI4816DY-T1-E3 数据手册
Vishay Siliconix
9 页 / 0.13 MByte
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