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SI4835DDY-T1-E3
来自 AiPCBA

SI4835DDY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:VISHAY  SI4835DDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 13A, SOIC
PDF文件:SI4835DDY-T1-E3 数据手册 (10 页)
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SI4835DDY-T1-E3 数据手册 (10 页)
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SI4835DDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
额定功率5.6 W
针脚数8 Position
漏源极电阻0.03 Ω
极性P-Channel
功耗2.5 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)-13.0 A
工作温度(Max)150 ℃
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SI4835DDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI4835DDY-T1-E3 数据手册

SI4835DDY-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.22 MByte
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