类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SO |
漏源极电阻 | 85.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 1.50 W |
漏源击穿电压 | 150 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 3.70 A |
VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V
Vishay Semiconductor(威世)
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VISHAY(威世)
N沟道150 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
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