| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.068 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.5 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 150 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.70 A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 额定功率(Max) | 1.5 W |
| 下降时间 | 17 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 2500 |
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N沟道150 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
VISHAY（威世）
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4848DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 0.068Ω, 2.7A
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI4848DY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道
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