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SI4848DY-T1-GE3
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SI4848DY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 150 V, 0.068 ohm, 10 V, 2 V
PDF文件:SI4848DY-T1-GE3 数据手册 (7 页)封装尺寸在5 页
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SI4848DY-T1-GE3 数据手册 (7 页)
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SI4848DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.068 Ω
极性N-Channel
功耗1.5 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)150 V
连续漏极电流(Ids)2.70 A
上升时间10 ns
额定功率(Max)1.5 W
下降时间17 ns
工作温度(Max)150 ℃
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SI4848DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量2500
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SI4848DY-T1-GE3 数据手册

SI4848DY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
7 页 / 0.17 MByte
SI4848DY-T1-GE3 其他数据使用手册
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