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SI4888DY-T1-E3
来自 AiPCBA

SI4888DY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOP
PDF文件:SI4888DY-T1-E3 数据手册 (5 页)
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SI4888DY-T1-E3 数据手册 (5 页)
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SI4888DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOP
漏源极电阻10.0 mΩ
极性N-Channel
功耗1.60 W
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)16.0 A
上升时间10 ns
额定功率(Max)1.6 W
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3500 mW
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SI4888DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SI4888DY-T1-E3 数据手册

SI4888DY-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
5 页 / 0.09 MByte
SI4888DY-T1-E3 其他数据使用手册
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