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SI4925BDY-T1-GE3
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SI4925BDY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
封装:SOIC-8
PDF文件:SI4925BDY-T1-GE3 数据手册 (6 页)
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SI4925BDY-T1-GE3 数据手册 (6 页)
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SI4925BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOIC-8
漏源极电阻25 mΩ
极性Dual P
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)5.3A
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SI4925BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
最小包装数量2500
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SI4925BDY-T1-GE3 数据手册

SI4925BDY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
6 页 / 0.11 MByte
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VISHAY（威世）
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