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SI4936BDY-T1-E3/BKN
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SI4936BDY-T1-E3/BKN 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SO-8
PDF文件:SI4936BDY-T1-E3/BKN 数据手册 (7 页)
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SI4936BDY-T1-E3/BKN 数据手册 (7 页)
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SI4936BDY-T1-E3/BKN 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SO-8
漏源极电阻0.051 Ω
功耗2.8 W
输入电容530pF @15V
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
热阻58℃/W (RθJA)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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SI4936BDY-T1-E3/BKN 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
长度5 mm
高度1.55 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI4936BDY-T1-E3/BKN 数据手册

SI4936BDY-T1-E3/BKN 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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