| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.033 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 2.3 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 325pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1700 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.55 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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VISHAY（威世）
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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VISHAY SI4936CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.8 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 3 V
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