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SI4946CDY-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI4946CDY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
封装:SOIC
描述:双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.1 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:SI4946CDY-T1-GE3 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SI4946CDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装SOIC
针脚数8 Position
漏源极电阻0.033 Ω
功耗2 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)60 V
输入电容值(Ciss)350pF @30V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
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SI4946CDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
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SI4946CDY-T1-GE3 数据手册

SI4946CDY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
9 页 / 0.22 MByte

SI4946CDYT1 数据手册

SI4946CDY-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.1 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V
SI4946CDY-T1-GE3 数据手册
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