类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOIC-8 |
极性 | P-Channel |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | -4.90 A |
额定功率(Max) | 1.1 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
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Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI4953ADY-T1-E3 场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, SOIC-8
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI4953ADY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, 4.9A
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