| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电流 | -4.90 A |
| 封装 | SOP |
| 漏源极电阻 | 53.0 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.00 W |
| 漏源击穿电压 | -30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -20V 最大漏极电流IdDrain Current| -4.9A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 95mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -3.6A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1V 耗散功率PdPower Dissipation| 2W Description & Applications| Dual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET FEATURES 100% Rg Tested 描述与应用| 双P沟道30-V（D-S）的MOSFET 特点 100％的Rg测试
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VISHAY SI4953ADY-T1-E3 场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, SOIC-8
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