| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SO-8 |
| 漏源极电阻 | 21.0 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.00 W |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -8.00 A to 8.00 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.75 mm |
Vishay Siliconix
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VISHAY（威世）
双P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
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