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SI4966DY-T1-E3
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SI4966DY-T1-E3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:SOIC-8
PDF文件:SI4966DY-T1-E3 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SI4966DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
漏源极电阻0.019 Ω
功耗2 W
漏源极电压(Vds)20 V
漏源击穿电压20 V
额定功率(Max)2 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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SI4966DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Last Time Buy
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SI4966DY-T1-E3 数据手册

SI4966DY-T1-E3 数据手册
Vishay Siliconix
8 页 / 0.23 MByte
SI4966DY-T1-E3 其他数据使用手册
Vishay Siliconix
7 页 / 0.16 MByte

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