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SI5403DC-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI5403DC-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:ChipFET-8
描述:P 沟道 30 V 0.03 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SMD-8
PDF文件:SI5403DC-T1-GE3 数据手册 (11 页)封装尺寸在7 页8 页
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SI5403DC-T1-GE3 数据手册 (11 页)
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SI5403DC-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装ChipFET-8
漏源极电阻0.025 Ω
极性P-Channel
功耗6.3 W
漏源极电压(Vds)-30.0 V
连续漏极电流(Ids)6.00 A
上升时间140 ns
输入电容值(Ciss)1340pF @15V(Vds)
下降时间18 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
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SI5403DC-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.05 mm
宽度1.65 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI5403DC-T1-GE3 数据手册

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P 沟道 30 V 0.03 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SMD-8
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