| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | Chip |
| 漏源极电阻 | 110 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.10 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.7A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| P沟道 P-Channel \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -20V 最大漏极电流IdDrain Current| -8V 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| -2.7A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 110mΩ@ VGS =-4.5V, ID =-2.7A 耗散功率PdPower Dissipation| -0.45V Description & Applications| 肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes 描述与应用| 20V
VISHAY（威世）
6 页 / 0.12 MByte
VISHAY（威世）
7 页 / 0.09 MByte
VISHAY（威世）
6 页 / 0.12 MByte
VISHAY（威世）
P通道20 - V（D -S）的MOSFET利用肖特基二极管 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
VISHAY（威世）
P沟道1.8 -V （G -S ） MOSFET和肖特基二极管 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
Vishay Semiconductor（威世）
P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
SI5853DC 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -20V -2.7A 1A 0.48V 1206-8/vs-8 marking/标记 JA
Vishay Semiconductor（威世）
P沟道1.8 V （G - S）的MOSFET与肖特基二极管 P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
