| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SO-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.022 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.8 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.3 A |
| 额定功率(Max) | 1.8 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.8 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.9 mm |
| 宽度 | 5.89 mm |
| 高度 | 1.04 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 3000 |
N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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N通道60 -V （D -S ）快速开关MOSFET N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
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VISHAY SI7850DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.3 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 3 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI7850DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 60V, 10.3A, SOIC, 整卷
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