类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SO-8 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.018 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 1.8 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 10.3 A |
上升时间 | 10 ns |
额定功率(Max) | 1.8 W |
下降时间 | 12 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1800 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 3000 |
VISHAY(威世)
11 页 / 0.3 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.3 MByte
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
N通道60 -V (D -S )快速开关MOSFET N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI7850DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.3 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 3 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI7850DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 60V, 10.3A, SOIC, 整卷
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件