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SI7866ADP-T1-E3
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SI7866ADP-T1-E3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:SO-8
PDF文件:SI7866ADP-T1-E3 数据手册 (7 页)
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焊盘图
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SI7866ADP-T1-E3 数据手册 (7 页)
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SI7866ADP-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SO-8
漏源极电阻0.003 Ω
功耗83 W
输入电容5415pF @10V
漏源极电压(Vds)20 V
输入电容值(Ciss)5415pF @10V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)5.4W (Ta), 83W (Tc)
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SI7866ADP-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
长度5.99 mm
高度1.07 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI7866ADP-T1-E3 数据手册

SI7866ADP-T1-E3 数据手册
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7 页 / 0.07 MByte
SI7866ADP-T1-E3 其他数据使用手册
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13 页 / 0.29 MByte
SI7866ADP-T1-E3 产品修订记录
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6 页 / 0.24 MByte
SI7866ADP-T1-E3 其他参考文件
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1 页 / 0.12 MByte

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