Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor（威世） > SI7866ADP-T1-GE3 Datasheet 文档
SI7866ADP-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI7866ADP-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
PDF文件:SI7866ADP-T1-GE3 数据手册 (13 页)封装尺寸在7 页8 页9 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI7866ADP-T1-GE3 数据手册 (13 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SI7866ADP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
漏源极电阻0.003 Ω
极性N-Channel
功耗5.4 W
阈值电压800 mV
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)40.0 A
工作温度(Max)150 ℃
查看数据手册 >

SI7866ADP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
查看数据手册 >

SI7866ADP-T1-GE3 数据手册

SI7866ADP-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
13 页 / 0.28 MByte
SI7866ADP-T1-GE3 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
13 页 / 0.28 MByte
SI7866ADP-T1-GE3 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
4 页 / 0.27 MByte

SI7866ADPT1 数据手册

SI7866ADP-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
SI7866ADP-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
SI7866ADP-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
SI7866ADP-T1-E3 数据手册
Vishay Siliconix
SI7866ADP-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
SI7866ADP-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
SI7866ADP-T1-E3 数据手册
Vishay Intertechnology
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet