Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY（威世） > SI7866ADP-T1-GE3 Datasheet 文档
SI7866ADP-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI7866ADP-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SO-8
PDF文件:SI7866ADP-T1-GE3 数据手册 (7 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI7866ADP-T1-GE3 数据手册 (7 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SI7866ADP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SO-8
漏源极电阻2.4 mΩ
极性N-Channel
漏源极电压(Vds)20.0 V
连续漏极电流(Ids)40.0 A
输入电容值(Ciss)5415pF @10V(Vds)
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)5400 mW
查看数据手册 >

SI7866ADP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
最小包装数量2500
查看数据手册 >

SI7866ADP-T1-GE3 数据手册

SI7866ADP-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
7 页 / 0.07 MByte
SI7866ADP-T1-GE3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
13 页 / 0.28 MByte

SI7866ADPT1 数据手册

SI7866ADP-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
SI7866ADP-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
SI7866ADP-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
SI7866ADP-T1-E3 数据手册
Vishay Siliconix
SI7866ADP-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
SI7866ADP-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
SI7866ADP-T1-E3 数据手册
Vishay Intertechnology
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet