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SI7866DP-T1
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SI7866DP-T1 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SO
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI7866DP-T1 数据手册 (4 页)
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SI7866DP-T1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SO
漏源极电阻2.50 mΩ
极性N-Channel
功耗5.40 W
漏源击穿电压20.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)29.0 A
上升时间60 ns
下降时间55 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)5400 mW

SI7866DP-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)

SI7866DP-T1 数据手册

SI7866DP-T1 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
4 页 / 0.04 MByte

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