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SI9410BDY-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI9410BDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SOIC
描述:VISHAY  SI9410BDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1 V
PDF文件:SI9410BDY-T1-GE3 数据手册 (6 页)
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SI9410BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装SOIC
针脚数8 Position
漏源极电阻0.019 Ω
极性N-Channel
功耗1.5 W
阈值电压1 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)8.10 A
工作温度(Max)150 ℃
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SI9410BDY-T1-GE3 数据手册

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