| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.03 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -6.20 A |
| 上升时间 | 55 ns |
| 额定功率(Max) | 1.3 W |
| 下降时间 | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 2500 |
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P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY（威世）
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1.5 V
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI9433BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -4.5A, 8-SOIC
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI9433BDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1.5 V
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